重庆某半导体技术除理芯片创造厂，晶圆加工厂的过程中生产含硅、氟的特殊性电镀工业废水，构思除理企业规模1200吨/日。电镀工业废水含量繁杂，含有納米级硅粒子及盐酸，传统艺术除理的办法很难不合格。 污废水 因素及从何而来 通常污染破坏物 ：电解质溶液硅（100-500nm粒级）、氟阴离子（200-300mg/L）、异丙醇 从何而来工艺流程 ：晶圆刻蚀电镀焦化废水（45%）、CMP物理化学机械性拋光电镀焦化废水（40%）、机械洗水（15%） 操作技术程序 多元化适用"物理沉积+特总膜破乳"科技交通路线： 钙盐沉垫 ：加药氯化钙清理氟阴离子（添加CaF2乳浊液） 斜板沉淀池反馈 ：分手后复合斜板沉淀池剂体现溶液硅脱稳 管式微滤 ：0.1μm粒径膜虚报冒领微细颗料 反渗透膜性和系统化 ：脱盐率>98%，出售率75% 蒸发掉析出 ：浓水段推动氟化物零废气 最中效果好 氟化物有机废气浓度：<8mg/L（远低于欧洲国家1级标准10mg/L） 硅水分含量：<5mg/L 水市场工业废水处理率：70%中用保压塔皮肤补水 危险废弃物减量化：化掉渣子量较传统与现代生产技术削减60%